低オン抵抗（４ｍΩ）、低電圧（４Ｖ）駆動のＦＥＴです。

ドレイン・ ソース電圧VDSS 60 V
ゲート・ ソース電圧 VGSS ±20 V
ドレイン電流 ID 75 A
せん頭ドレイン電流 ID (pulse) 300 A
逆ドレイン電流 IDR 75 A
アバランシェ電流 IAP 50 A
アバランシェエネルギー EAR 214 mJ
許容チャネル損失 Pch 110 W
チャネル温度 Tch 150 ℃